市場規模と成長予測
GaN MOCVDシステムの世界市場は、2025年の3億9,000万米ドルから2032年には6億5,300万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）7.4%で成長すると見込まれています。2025年におけるGaN MOCVDシステムの世界生産台数は185台に達し、平均販売価格は1台あたり215万4,000米ドルでした。
GaN MOCVDシステムとは
GaN MOCVDシステムは、金属有機化学気相成長（MOCVD）技術を用いて、サファイア、SiC、シリコン、GaNなどの基板上にIII族窒化物エピタキシャル層を成長させるための統合ツールセットです。このシステムは、厚さ、組成、ドーピング、応力、ウェーハ内均一性といった主要なエピタキシー指標を安定して制御することを可能にします。主な用途としては、LEDエピタキシー、GaNパワーデバイス、RFデバイスの研究開発（R&D）および量産製造が挙げられます。
市場の背景と牽引要因
GaN MOCVDシステム産業は、高いプロセス障壁、長い認定サイクル、およびプロジェクトベースの納入が特徴です。需要は以下の要因によって牽引されています。
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LEDプラットフォームのアップグレードと更新サイクル
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EV充電、エネルギー貯蔵、サーバー電源などの用途におけるGaNパワーデバイスの普及加速
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高周波・高出力RF用途向けのプロセスアップグレード
設備投資は、標準化された装置の単純な補充というよりも、プラットフォームの導入、歩留まりの向上、および認定期間と密接に関連している状況です。地域的には、エピタキシー製造と下流のデバイスエコシステムが成熟したクラスターに需要が集中しており、製造拠点が量産用ツールの導入を牽引し、研究開発センターがプロセスの改良を牽引する「デュアルエンジン」パターンを形成しています。
今後の見通しと技術進化
GaN MOCVDシステムは今後、より高度な自動化、より強力なインサイトモニタリング、粒子や欠陥の低減、稼働率の向上、そしてより堅牢な排出ガス制御へと進化し続ける見込みです。また、データ、閉ループ制御、およびデジタル運用により、ロット間の安定性と長期的な再現性のあるプロセス能力が向上すると期待されています。GaN技術は、高いバンドギャップ、高温・高電界での安定性、高い耐圧と高速スイッチング能力を持つため、未来のエネルギー需要に対応し、持続可能なエネルギーシステムへの移行を支える重要な要素となるでしょう。
レポートの主な内容
本レポートでは、GaN MOCVDシステムの市場を以下のセグメントで詳細に分析しています。
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タイプ別セグメンテーション: 水平型、回転・公転型
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基板／ウェーハ径別セグメンテーション: 2インチ以下、3～4インチ、6インチ、8インチ
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チャンバー数別セグメンテーション: シングルチャンバー、デュアルチャンバー、マルチチャンバー
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用途別セグメンテーション: LED、パワー半導体、レーザーダイオード、その他
また、南北アメリカ、アジア太平洋地域、ヨーロッパ、中東・アフリカといった主要地域および国別の市場分類も行われています。主要企業として、AIXTRON Technologies、Advanced Micro-Fabrication Equipment、Topecsh、Veeco、太陽日本酸素、NuFlare Technologyなどが紹介されています。
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