高出力GaNデバイス市場、2032年に20億米ドル規模へ拡大予測
株式会社マーケットリサーチセンターは、高出力GaNデバイスの世界市場に関する調査資料「Global High Power GaN Devices Market 2026-2032」を発表しました。このレポートによると、世界のハイパワーGaNデバイス市場は、2025年の4億900万米ドルから2032年には20億3500万米ドルへと拡大し、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）26.3%で成長すると予測されています。
高出力GaNデバイスの概要と市場の現状
高出力窒化ガリウム（GaN）デバイスは、650V以上の高電圧、大電流、高スイッチング周波数での動作を目的とした先進的なパワー半導体部品です。GaNが持つ広いバンドギャップ特性により、従来のシリコンや一部のSiCデバイスと比較して、電力密度、効率、熱管理の面で優れた性能を発揮します。
主な製品カテゴリーには、高電圧GaN HEMT、GaNベースのパワーモジュール、GaN-on-GaNディスクリートトランジスタが含まれます。これらのデバイスは、電気自動車（EV）のトラクションインバータ、産業用モータードライブ、航空宇宙・防衛用電源システム、再生可能エネルギー用インバータ（太陽光・風力）、スマートグリッドインフラなど、多岐にわたる分野で利用されています。
市場成長を牽引する要因と技術の進展
高出力GaNデバイスの市場成長は、電動化、脱炭素化、高効率電力システムへの世界的な移行と密接に関連しています。EVがより軽量で高効率なパワートレインを求める中、GaNデバイスはインバーターの体積とスイッチング損失を低減できる特性から、次世代の800V車載アーキテクチャを実現する重要な要素となるでしょう。
再生可能エネルギーやスマートグリッド分野においても、GaNデバイスの高周波動作は、よりコンパクトで高効率なインバーターを可能にし、システムレベルでのコスト削減とスペースの節約に貢献すると見込まれています。
技術面では、GaN-on-GaNやGaN-on-diamondプラットフォームの開発が進み、キロボルト級アプリケーションに適した放熱性と耐破壊電圧の強化が期待されています。また、GaNパワーICやモノリシックGaNシステムといった統合ソリューションの台頭により、デバイスの集積化とデジタル制御との互換性が向上していくと予測されます。
基板やエピタキシープロセスのコスト削減が進むにつれて、高出力GaNデバイスは、従来シリコンIGBTやSiC MOSFETが主流であった産業用および自動車用パワー分野での採用がさらに拡大する可能性があります。
レポート内容と主要企業
本調査レポートでは、高出力GaNデバイスの売上を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、以下のタイプ別および用途別のセグメンテーションで詳細な分析を提供しています。
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タイプ別セグメンテーション:
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650V GaNデバイス
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700V GaNデバイス
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用途別セグメンテーション:
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モバイルおよび民生用
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太陽光発電（PV）、エネルギー貯蔵、風力発電
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UPS、データセンターおよびサーバー
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防衛・航空宇宙
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産業用モーター／ドライブ
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自動車およびモビリティ
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その他
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レポートには、Innoscience、Infineon（GaN Systems）、Navitas（GeneSiC）、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）、Power Integrations, Inc.、ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）、STマイクロエレクトロニクス、ローム、テキサス・インスツルメンツ、ネクスペリアなど、主要な高出力GaNデバイスメーカー20社の情報も含まれています。各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度などが分析されています。
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